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用于 GaN 功率器件的集成栅极驱动器 为了开发集成栅极驱动器，一组研究人员1在商用 650V GaN-on-Si 平台上实现了增强型 (E) 模式 GaN 功率开关和基于

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使用 GaN FET 器件实现的高效升压电路示例 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是下一代射频功率晶体管技术的一部分，它们是新型高频器件，它们是迁移率更

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开关电源MOS管的工作损耗计算 耗计算式计算： × RDS(on) × K × 截止损耗计算： × IDSS ×（ 1-Don ） 会依 VDS(off

结型场效应管的检测 1．判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外曲个电极，

如何测量石英晶体的驱动电平驱动电平是指晶体中耗散的功率量。晶体具有机械振动。更高的驱动级别可能会将振动幅度增加到不可接受的级别，并导致不良影响。为限制这些振动，晶体中消耗的功率不应

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开关管MOSFET的功耗分析及优化一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电

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功率MOS管损坏的典型种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现

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开关电源的MOSFET选择DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定

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适用于运输领域的SiC：设计入门在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。为什么使用宽带隙（W

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