HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究【摘要】：正HgCdTe光伏探测器是重要的一类红外探测器,在该器件制备工艺中,钝化技术决定着器件的稳定性、抗干扰能力,和其它性能指标

CdTe+ZnS双层钝化的HgCdTe光伏探测器的制备及性能研究【摘要】：制备了CdTe+ZnS介质膜,将其应用于光伏探测器中,对器件的性能进行了测试,并通过理论计算,分析了器件的

碲镉汞光伏探测器基座的低温形变分析【摘要】：论文对碲镉汞光伏探测器的基座在高低温变化过程中的形变情况进行了测量,得到了基座形变大小与柯伐厚度的关系,从而为基座柯伐厚度的选择提供了依

集成浸没透镜结构的碲镉汞光伏器件的研制【摘要】：采用等温气相外延方法(ISOVPE)在Cd Zn Te衬底上生长出碲镉汞外延材料结构,在此基础上研制出具有集成浸没透镜结构并在近室温

脉冲激光诱导碲镉汞光伏探测器负光伏响应现象研究【摘要】：利用皮秒脉冲激光辐照碲镉汞线列探测器上的光敏元,发现其光伏响应表现为先形成一个负光伏谷,之后演变为正光伏峰。改变入射激光的光

HgCdTe光伏器件表面钝化以及MIS器件制备与分析【摘要】：在对HgCdTe光伏器件的表面钝化进行了综述的基础上，重点研究了HgCdTeMIS器件制备中的关键工艺、对MIS器件的

氧化钒光伏特性及其应用研究【摘要】：氧化钒因具有受热辐射后电阻变化的特性,是微测辐射热计用的热敏电阻的理想材料。此外,基于氧化钒光学带隙横跨可见与红外双波段(0.5 eV~2.24

PbTe光伏探测器的研制【摘要】：Ⅳ-Ⅵ族半导体是一类禁带宽度很窄的化合物半导体材料,由于其独特的物理性质,是应用于红外波段光电探测器的理想材料。本文简要介绍了Ⅳ-Ⅵ族半导体的背景

高效聚合物太阳电池的电极修饰与光伏探测器的性能研究【摘要】：聚合物光伏器件是一种新型的能够直接将太阳光子转化为电能的器件,因具备质量轻、成本低以及材料来源广泛等优点而被广泛研究。一

“闪光”对锑化铟光伏探测器性能影响【摘要】：本文叙述了天文上广为使用的锑化铟光伏红外探测器的“闪光”现象的实验研究,它可以大大提高探测器的等效电阻(通常可高达2×10~(11)Ω以

光伏型红外探测器伏安特性的测试与分析【摘要】：目前,国外对光伏型红外探测器伏安特性测试,主要以变温伏安特性为主,结合工艺讨论的较多,专门论述较少;国内也主要是结合工艺讨论,对伏安特

InSb光伏探测器钝化对电学性能的影响【摘要】：实验以阳极氧化法在0.1MKOH溶液中钝化InSb光伏探测器,测量器件钝化前后电学性能的变化。结果表明,器件经钝化后,反向阻抗普遍提

Pb_(1-X)Ge_XTe(0.05≤X≤0.11)扩散结光伏红外探测器【摘要】：用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏

高探测度Pb_xSn_(1-x)Te光伏二极管【摘要】：英国Allen Clark研究中心制备了在77°K工作的探测度达10~(11)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)的10.6微米P

碲镉汞光伏探测器【摘要】：正 大约在六年以前碲镉汞红外探测器仍然处于保密状态,这以后它们才公开在市场上广泛出售。关于它们的潜在能力和用途还有许多因素是未来的用户所不十分清楚的。本文

锑化铟光伏探测器【摘要】：正 前言锑化铟光伏红外探测器,由于其具有现代探测器的工作性能,在军用和工业用的红外装置上得到日益广泛的应用。单元及多元探测器的性能已发展到背景辐射限(BL

截止频率达千兆赫的10.6微米CdHgTe光伏探测器【摘要】：利用化学计量偏离法制备了x(～-)0.20的p-n结Cd_xHg_(1-x)Te器件,来研究10.6微米波长的光伏探测

碲镉汞快速光伏红外探测器【摘要】：正 说明 (Hg,Cd)Te光伏探测器用作8～14微米的红外接收器件特别令人感兴趣。利用光伏效应能提高截止频率,降低低频噪声电平。实际的探测器是C

用于10微米波长的碲锡铅光伏探测器【摘要】：正 过去几年,对研制8～14微米范围内以本征方式工作的HgCdTe探测器给于了较多的注意。本文将提出在该波长范围内的一种新探测器的初步研

质子轰击的锑化铟n-p结光伏探测器【摘要】：本文介绍了用质子轰击产生 n-型层来制备锑化铟 n-P 结光伏探测器的方法。在77°K 时,直径为20密耳的二极管具有几十万欧姆的零偏压

8～14微米碲锡铅光伏探测器及其阵列【摘要】：作者用气相传输系统在碲化铅基片上生长了Pb_xSn_(1-x)Te合金(X值在0.88～0.75之间)的单晶层。并用这种合金材料制成了

2.35μm碲镉汞光伏探测器离子注入工艺研究【摘要】：利用p型Hg_(1-x)Cd_xTe(或简称MCT)组分x=0.44体晶材料,研究了B~+离子注入平面工艺制备2.35μm截止

锑化铟光伏探测器中的应力感应漏电问题【摘要】：用一个栅极可控二极管器件来研究外加应力对锑化铟(InSb)p~+/n光伏红外探测器的漏电影响。通过实验证实了外加应力与栅极之间在其对电

N-On-P Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光伏探测器参量的选择【摘要】：考虑了Burstein-Moss效应等因素,得到了光伏探测器的性能公式。【作者单位】：山东大学红外遥

Si衬底上的HgCdTe光伏探测器【摘要】：利用CdTe和GaAs中间外延层,首次在Si衬底上制作了HgCdTe红外光伏探测器。在热循环之后未观测到这些器件(截止波长为5.5μm,