光伏多晶硅
光伏多晶硅优质回答:多晶硅材料小知识A、太阳能级多晶硅料 技术要求:总体要求:硅含量99.9999% 含硼量:<0.20ppba 含磷量:<0.90ppba 含碳量:<1.00pp
优质回答:多晶硅材料小知识A、太阳能级多晶硅料 技术要求:总体要求:硅含量99.9999% 含硼量:<0.20ppba 含磷量:<0.90ppba 含碳量:<1.00ppba 金属含量:<30.00ppba 金属表面含量:<30.00ppba 尺寸大小要求:25mm---250mm 多晶种类:P型 电阻率:>0.50Ohmcm B、破碎半导体级硅片技术要求:半导体级碎硅片 片子形状为圆弧形碎片 硅片厚度>=400um 型号为P型 电阻率:>0.50Ohmcm C、小多晶硅技术要求1. 型号为N型,电阻率大于50ohmcn,碳含量小于5*1016/cm3,氟含量小于 5*1017/cm32. 块状为4mm3. 不能有氧化物夹层和不熔物,最好为免洗料 D、直拉多晶硅技术要求1.磷检为N型,电阻率大于100ohmcm, 硼检为P型,电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um,碳含量小于1016cm3,氧含量小于1017 cm32. 块状小于30mm3. 不能有氧化物夹层和不熔物,最好为免洗料E、区熔头尾料技术要求1. N型,电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm2. 块状大于 30mm3. 区熔头尾料不能有气泡,不能有与线圈接触所造成的沾污,更不能有区熔过程的流硅或不熔物。4. 最好为免洗料F、直拉头尾料(IC料),最好为免洗料1. N型,电阻率大于10ohmom2. P型,电阻率大于 0.5ohmom3. 块状大于30mm,片厚大于0.5mm4. 直拉头尾料不能气泡,更不能有不熔物
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