LED外延片生长需要用到哪些设备和原料、工艺流程是什么?目前我了解到的是MOCVD、尾气处理器、MO源，请补充

【专家解说】：问题是LED外延片生长是吧，那就仅仅是GaN基的LED的生长。 用到的设备主要是MOCVD设备。当然还有一些辅助设备，比如尾气处理系统、超净间及排风系统、水冷系统、气站和供气系统等。 使用的原料和耗材我原来回答过，如下： 1、生产原材料累 蓝宝石衬底（图形衬底或平面衬底）、有机源（镓源、镁源、铝源等）、氨气、高纯氮、高纯氢 2、设备易损件 石墨盘（100多炉换，看工艺了）、加热系统备件（没问题的话能用年把）、尾气过滤器（常换） Veeco有些型号的设备带有小型气体纯化器，此类不能再生，也应该算耗材之一吧。 3、配套耗材 手套、无尘布、无水乙醇、尾气中和用的酸等 工艺流程是 1 将蓝宝石衬底放入MOCVD 2 高温到1050度左右退火或叫高温刻蚀 3 低温到500度左右长低温层 4 高温到1050度左右生长非掺GaN和n型GaN 5 生长量子阱 6 生长p型GaN 7 取出来就完成外延工艺了 下面就该转到芯片工艺去了。