电池制作厂能否利用废电池再制造新的电池啊

【专家解说】：高效单晶硅太阳电池工艺流程如下： 1)去除损伤层 2)表面绒面化 3)发射区扩散 4)边缘结刻蚀 5)PECDV沉积SiN 6)丝网印刷正背面电极浆料 7)共烧形成金属接触 8)电池片测试。 硅片采用0.5~2Ω.cm，P型晶向为（100）的单晶硅片。利用氢氧化钠溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子=10时（所谓各向异性因子就是（100）面与（111）面单晶硅腐蚀速率之比），可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点。可提高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳电池的光电转换效率。 金字塔形角锥体的表面积S0等于四个边长为a正三角形S之和 S0 = 4S = 4×a×a = a2 由此可见有绒面的受光面积比光面提高了倍即1.732倍。 当一束强度为E0的光投射到图中的A点，产生反射光Φ1和进入硅中的折射光Φ2。反射光Φ1可以继续投射到另一方锥的B点，产生二次反射光Φ3和进入半导体的折射光Φ4；而对光面电池就不产生这第二次的入射。经计算可知还有11%的二次反射光可能进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为9.04%。 2.发射区扩散： 采用三氯氧磷气体携带源方式，这个工艺的特点是生产高，有利于降低成本。新购的8吋硅片扩散炉、石英管口径达270mm，可以扩散156×156（mm）的硅片。 由于石英管口径大，恒温区长，提高了扩散薄层电阻均匀性，有利于降低太阳电池的串联电阻Rs，从而提高太阳电池填充因子FF。 3.SiN钝化与APCVD淀积TiO2： 先期的地面用高效单晶硅太阳电池一般采用钝化发射区太阳电池(PESC)工艺。在扩散过去除磷硅玻的硅片上,热氧化生长一层10nm~25nm厚SiO2为,使表面层非晶化,改变了表面层硅原子价键失配情况,使表面趋于稳定,这样减少了发射区表面复合,提高了太阳电池对蓝光的响应,同时也增加了短路电流密度Jsc,由于减少了发射区表面复合,这样也就减少了反向饱和电流密度,从而提高了太阳电池开路电压Voc。还有如果没有这层SiN,直接淀积TiO2薄膜,硅表面上会出现陷阱型的滞后现象导致太阳电池短路电流衰减,一般会衰减8%左右,从而降低光电转换效率。故要先生长SiN钝化再生长TiO2减反射膜。 TiO2减反射膜是用APCVD设备生长的,它通过钛酸异丙脂与纯水产生水解反应来生长TiO2薄膜。 4.PECVD淀积SiN 多晶硅太阳电池广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产高效多晶硅太阳电池,为上世纪末多晶硅太阳电池的产量超过单晶硅太阳电池立下汗马功劳。随着PECVD在多晶硅太阳电池成功,引起人们将PECVD用于单晶硅太阳电池作表面钝化的愿望。 由于生成的氮化硅薄膜含有大量的氢,可以很好的钝化硅中的位错、表面悬挂键，从而提高了硅片中载流子迁移率，一般要提高20%左右，同时由于SiN薄膜对单晶硅表面有非常明显钝化作用。尚德公司的经验显示，用PECVD SiN作为减反膜的单晶硅太阳电池效率较高于传统的由APCVD TiO2作为减反膜单晶硅太阳电池                                        是这种电池吗？      我手都打酸了啊!!!!