掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究

【摘要】：本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜变为非晶态;与p型a-Si∶H相比,掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高,电导率较高,电导激活能较低,是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料。 【作者单位】： 浙江大学硅材料国家重点实验室;
【关键词】： 等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙
【基金】：国家重点基础研究发展计划(No.2007CB613403)(973计划) 浙江省科技计划项目纳米技术攻关及示范应用专项(No.2006C11118) 高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(No.705026)
【分类号】：O484.1
【正文快照】： 鉴于常规能源(煤、石油、天然气)供给的有限性和环境污染的双重压力,许多国家都在致力于开发清洁、无污染、取之不尽的太阳能。太阳能电池的成功开发,为大规模利用太阳能并最终取代常规能源奠定了重要的技术基础。晶体硅作为太阳电池材料一直保持着统治地位[1],但受原材料供

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