SnS_2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究
SnS_2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究【摘要】:文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池。用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗
【关键词】: 水热法 SnS SnS 浸涂法 薄膜太阳能电池
【基金】:国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB202600)
【分类号】:TM914.42
【正文快照】: Sn和S能形成多种化合物(SnxSy),如SnS、SnS2、Sn2S3和Sn3S4,其中最重要的是SnS2和SnS[1]。一般来说,SnS2是n型半导体,光学带隙为2·44 eV[2];SnS是p型半导体,光学带隙为1·3 eV,介于Si(1·12 eV)和GaAs(1·43 eV)之间,与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配,根据Prince-Lofers
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