高能粒子辐照对太阳能电池材料InGaN合金生长的影响

【摘要】：采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长出高质量的InGaN合金薄膜,并对InGaN合金薄膜的光电性能进行高能粒子辐照损伤测试,用室温下的光致发光对InGaN合金薄膜的少数载流子寿命进行间接测量,结果显示,高In组分InGaN合金薄膜具有很好的晶体结构质量,其位错密度均没有超过5×10~(10)cm~(-2)。在辐照损伤强度超过常用太阳能电池材料GaAs和GaInP损伤强度极限2个数量级以上时,InGaN合金仍然具有良好的光电性能,说明InGaN合金是非常适合制作抗超高辐照强度的太阳能电池材料。研究分析表明,InGaN合金具有较高的抗辐照性能是由这种材料的本质属性决定的。 【作者单位】： 佛山科学技术学院光电子与物理学系;
【关键词】： InGaN合金 抗辐照性能 太阳能电池材料 MOCVD
【基金】：广州市LED工业研究开发基地研发项目
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： O引言111族氮化物合金材料的直接带隙范围是所有半导体化合物材料中最宽的，可从0.7eV(InN)延展到6.ZeV(AIN)〔’了(如图1所示)，特别是InGaN合金材料。InGaN合金材料的直接带隙可以从0.7eV连续地变化到3.4eV，这使得用单一的合金材料制作多节太阳能电池具有了一定的可行性，

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