【摘要】：用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H_2O和O_2的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的含量介于热氧化层与阳极氧化层之间。
【作者单位】：
复旦大学
复旦大学
复旦大学
复旦大学
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【关键词】： 俄歇谱 吸附氧 清洁表面 氧化层厚度 俄歇信号 电子束照射 氧化态 热氧化 阳极氧化层 自体
【正文快照】：
【关键词】： 俄歇谱 吸附氧 清洁表面 氧化层厚度 俄歇信号 电子束照射 氧化态 热氧化 阳极氧化层 自体
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在用电子作为激发源的表面分析实验(如俄歇电子能谱)中,带能的电子束对样品表面会产生各种破坏作用,电子束感应吸附(ESA)或电子束感应氧化(ESO)是比较常见的效应n’.对于半导体表面的电子束感应吸附,所做的工作并不很多. 研究过氧在Gd∞,GaAs[”,co和o。在si表面“’的ESA,发
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