GaAs_(1-x)P_x(110)清洁表面结构和电子态的研究

【摘要】：本文用有限集团的EHT方法研究了GaAs_(1-x)P_x(110)清洁表面的弛豫和电子态。出现三元合金的表面旋转弛豫角约为26°左右;当X≥0.25时,在禁带中靠近导带底处有空的本征表面态存在。 【作者单位】： 复旦大学物理系 复旦大学物理系
【关键词】： 清洁表面 GaAs 禁带 表面电子态 本征表面态 弛豫模型 表面弛豫 原子 三元合金 导带
【正文快照】： 近年来,由于室温连续可调半导体激光器的研制以及集成光学的发展,对三元以及四元III—V族化合物半导体材料的研究愈来愈受到人们的重视.三元合金GaAs卜。P,就是一个非常重要的材料.通过控制配比z,可以改变材料的禁带宽度,也就可以使发光从红外到绿色范围内进行变化;同时通过

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