Si(111)7×7清洁表面的总电流谱

【摘要】：用自制的总电流谱仪对Si(111)7×7清洁表面进行了测量,得到A,B,C,D四个谱峰的能量位置分别在真空能级以上2.6,5.2,8.6和12.9eV。样品饱和吸氢后表面峰A消先。用带间跃迁模型对实验结果作了初步分析。 【作者单位】： 复旦大学表面物理实验室 复旦大学表面物理实验室 复旦大学表面物理实验室
【关键词】： 清洁表面 带间跃迁 总电流 实验结果 真空能级 谱仪 表面态 谱峰 入射电子 态密度分布
【正文快照】： 由于硅是目前应用最为广泛的半导体材料,因此其表面物理特性的研究一直是表面科学中的重要课题,其中尤以si(111)7×7再构的清洁表面最为引人注目“叫’. 总电流谱(total curreilt spectroscopy,简称’I"CS)是通过测量样品电流随低能人射电子能量的变化来研究表面电子态的新技

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