InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据

【摘要】：用电子能量损失谱证实了,在超高真空中用氩离子刻蚀所获得的 InAs(111)和 InSb(111)清洁表面上会形成In岛.而生成In岛的容易程度按InP、IuAs、InSb的次序递减. 【作者单位】： 复旦大学表面物理实验室 复旦大学表面物理实验室 复旦大学表面物理实验室
【关键词】： 离子刻蚀 清洁表面 实验证据 InAs 体等离子体 表面等离子体 损失谱 InSb 化合物半导体 等离子体振荡
【正文快照】： 实验已经证实“一习,在超高真空中用氢离子刻蚀所获得的InP清洁表面上不可避免地会存在In岛.含In的m一V族化合物半导体除InP外还有InAs和Insb,它们在腻离子刻蚀作用下表面是否也会生成In岛?本文的实验证实,氢离子刻蚀形成In岛是所有这三种化合物的共同特征,但不同的In化合物

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