异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用

【摘要】：文章综述了异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用.从太阳能电池特性角度,点评了其在晶体硅、非晶硅薄膜太阳能电池及新结构太阳能电池应用中的研究热点和研究现状.在此基础上,讨论了其在不断与晶体硅、薄膜硅太阳能电池融合中的发展动态. 【作者单位】： 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室;
【关键词】： 异质结界面 太阳能电池 晶体硅 非晶硅 薄膜 新结构 纳米晶硅 能量转换效率 禁带宽度 碳化硅
【基金】：国家自然科学基金(批准号:60676001,60706023) 国家重点基础研究发展计划(批准号:2009CB939703) 中国科学院所长基金(批准号:YZ0635)资助项目
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言异质结是由两种禁带宽度不同的半导体材料相接触而形成的接触过渡区[1].1992年,日本人Makoto Tanaka和Mikio Taguchi等[2]首次将异质结技术应用到硅基太阳能电池的制备过程中.自此,异质结技术与太阳能电池的结合成为新型硅基太阳能电池发展的趋势之一,得到了广泛的研究

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