非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备

【摘要】：以ZnO:Al(2%Al2O3,质量分数)为靶材,用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZnO:Al薄膜,分析了各沉积参数对薄膜光电性能的影响。结果表明:溅射功率对ZnO:Al的透过率影响最大,其次是反应腔室压力,而衬底温度对透过率几乎没有影响。ZnO:Al的电阻率主要取决于衬底温度和溅射功率。综合考虑透过率和电阻率,确定了背反ZnO:Al的最佳沉积参数(衬底温度为200℃,溅射功率为200W,反应腔室压力为0.6Pa),得到了透过率大于85%,电阻率最小为7.6×10-4Ωcm的ZnO:Al薄膜。制备了ZnO:Al/Ag/ss(stainless steel)背反电极,并将其用于非晶硅太阳能电池。与无背反的不锈钢衬底上的电池相比,非晶硅太阳能电池短路电流密度增加了16%。 【作者单位】： 中国科学院半导体研究所;
【关键词】： 掺铝氧化锌薄膜 背反电极 非晶硅太阳能电池 磁控溅射
【基金】：国家973计划(2006CB202604) 国家自然科学基金(60576036)资助项目
【分类号】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 在非晶硅太阳能电池中,ZnO作为插入层用于背反电极可阻挡金属的扩散。[1]另外,通过对其进行绒面处理还可陷光,[2]这样电池光吸收活性层的本征层可做得更薄,减小与光致衰退相关的Staebler-Wronski(SW)效应,[3]从而提高电池稳定性。由于背反电极反射的光需穿过ZnO层才能被本征

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