四结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge的设计与模拟

【摘要】：随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs(InGaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究。四元化合物材料Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)N_y通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev-1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料。在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比。结果显示,该结构可以获得较高的转换效率。 【作者单位】： 华南师范大学物理与电信工程学院;
【关键词】： GaInAsN 太阳能电池 转换效率
【基金】：广东省自然科学基金(10151063101000048)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言近年来太阳能光伏产业获得了巨大的发展川，InGap/GaAs/Ge三结太阳能电池的AMO转换效率已接近30%，并且在空间太阳阵电源系统中获得了广泛应用。由于Ge的吸收波段范围远远大于上面两种材料使得Ge电池的短路电流密度值很大，几乎是上面两层的二倍〔’〕且不管上部、中部

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