含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作

【摘要】：提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%. 【作者单位】： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院半导体研究所;
【关键词】： 纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结 太阳能电池 外量子效率
【基金】：国家重点基础研究发展计划(2007CB936701) 苏州高效太阳能电池技术重点实验室(ZXJ0903)资助项目
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 太阳能是一种经济、环保且取之不尽用之不竭的清洁能源,因此近年来光伏产业的发展受到了广泛的关注.其中Ⅲ族氮化物材料具有宽的禁带宽度范围(0.7~3.4eV)、高的光吸收系数和良好的抗辐照特性等优点,被认为是制作全光谱高效太阳能电池,或者搭载其他电池作为顶电池的理想材料.

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