背场扩散片间距对N型太阳能电池性能影响

【摘要】：新技术的开发与运用同时也极大地促进了太阳电池的商业化发展。太阳电池产业化所面临的主要问题之一是如何在保证电池高转换效率前提下提高产能。扩散制作P-N结是晶体硅太阳电池的核心,也是电池质量好坏的关键之一。本文主要介绍N型电池背场扩散间隔对于背场均匀性,以及电池性能的影响,这有利于我们找到电池效率与产能的最佳结合。 【作者单位】： 英利绿色能源控股有限公司;
【关键词】： 扩散 P-N结 背场 方块电阻
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 目前,80%以上的太阳能电池都是晶体硅太阳能电池,而其中P型硅太阳能电池所占比例接近95%,N型硅太阳能电池仅占5%。由于N型硅材料具有高的少数载流子寿命和对某些金属杂质的不敏感性,使N型硅电池有高的稳定性和高的效率潜力,所以N型电池成为当前研发的热点。扩散是电池制造过

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