不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池电性能的影响

【摘要】：研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响,通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2.9μm、3.8μm、4.6μm的3批样品,采用扫描电子显微镜(SEM)和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率,分析了腐蚀深度与后续各制程的关系。对比了绒面反射率及电性能参数,确定了最佳的腐蚀深度。 【作者单位】： 英利能源(中国)有限公司;风帆光伏能源有限公司;
【关键词】： 多晶硅 酸溶液腐蚀 反射率 转换效率
【基金】：太阳能光伏发电技术国家重点实验室建设项目(10963922D)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言近年来随着新能源行业的发展,光伏发电越来越受到人们的重视,提高效率、降低成本成为人们关注的焦点。在晶体硅太阳能电池中,提高转换效率的一条有效途径是增加电池对光的吸收。通常需要对切割后的硅片进行陷光处理,去掉硅片经线切割留下的机械损伤层,减小表面复合,降低

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