退火对冶金法太阳能级多晶硅中缺陷影响的研究

【摘要】：研究了不同条件下退火对冶金法太阳能级多晶硅锭不同部位的位错、晶界及择优生长取向的影响。利用金相显微镜,电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅锭的位错、晶界和择优生长取向的变化规律进行表征,结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小始终是中部底部顶部。1100℃下随着保温时间的延长,多晶硅中的位错密度逐渐减小,到5.0h后达到回复的极限程度;小角度晶界比例不断减小,直至消失;大角度晶界中R型晶界比例先增加后减小,CSL晶界比例缓慢增加,孪晶晶界Σ3比例呈稳定地增加,到退火5.0h后,其比例约占30%;主峰〈111〉织构峰强一直增加,〈311〉织构峰强则是逐渐减小至零,而〈511〉、〈531〉、〈620〉织构强度则是先减小、后增大、最后再减小,退火保温5.0h后择优生长取向达到高度一致。另外,还得到了不同温度下的极限回复程度。 【作者单位】： 云南大学物理科学与技术学院;浙江大学硅材料国家重点实验室;昆明理工大学真空冶金国家工程实验室;
【关键词】： 多晶硅 退火 位错密度 晶界
【基金】：国家自然科学基金委员会-云南省人民政府联合基金(U1137601) 教育部科学技术研究重点项目(212159) 浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金(SKL2009-8)
【分类号】：TQ127.2
【正文快照】： 0引言铸造多晶硅在定向凝固长晶铸锭阶段,由于地球重力等的作用,硅晶体在生长时很难保证固液面呈水平状,因此,在硅晶体中会形成大量细小的晶粒,从而产生晶界;另外,由于散热不均匀以及硅锭与石英坩埚热膨胀系数不同等因素会导致硅锭中产生大量热应力,从而产生大量位错[1]。同样

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