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太阳能多晶硅片表面线状缺陷的形貌特征及形成原因

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 16:00:44
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太阳能多晶硅片表面线状缺陷的形貌特征及形成原因【摘要】:研究了定向凝固生长的多晶硅线切割过程中在多晶硅片表面产生的线状缺陷的形貌特征及其形成机制。分别采用扫描电子显微技术和X射线衍

【摘要】:研究了定向凝固生长的多晶硅线切割过程中在多晶硅片表面产生的线状缺陷的形貌特征及其形成机制。分别采用扫描电子显微技术和X射线衍射技术对多晶硅片线切割引起的线状缺陷的形貌特征及夹杂物进行研究,结果表明:多晶硅片表面线切割过程中形成的线状缺陷是因SiC夹杂物的存在而引起的,当切割钢丝与多晶硅中的SiC夹杂物相遇时,在拉力作用下钢丝爬越SiC夹杂物,同时在SiC夹杂物的表面发生研磨现象,在多晶硅片表面留下线状缺陷。 【作者单位】: 南昌工程学院理学系;南昌大学材料科学与工程学院;
【关键词】多晶硅 线状缺陷 线切割 夹杂物 太阳能
【基金】:国家自然科学基金(60844008)
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 0引言近年来由于一次性能源(如石油、煤炭等)的价格上涨及其资源短缺,光伏产业得到迅速发展。规模化生产的商用太阳电池主要基于太阳级晶体硅材料,晶体硅包括单晶硅和多晶硅,目前晶体硅太阳电池约占全球市场份额的85%,远超过基于薄膜技术的太阳电池[1]。在晶体硅太阳电池中超

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