硅太阳能电池铝背场P~+层的模拟优化
硅太阳能电池铝背场P~+层的模拟优化【摘要】:针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析
【关键词】: 硅太阳能电池 铝背场 性能模拟 PCD
【基金】:南京大学固体微结构物理国家重点实验室自主创新课题基金(2010ZZ13)
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 1引言太阳能是安全、清洁、可再生能源的源泉,在解决能源危机以及传统能源对环境污染占有重要的战略地位[1]。为了降低太阳能电池的成本,减少硅材料的用量,提高光电转换效率,需要不断减薄硅片厚度。随着硅片厚度的减薄,铝背场在降低电池背面复合速率,提高太阳电池转换效率方
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