第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

【摘要】：研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S5.6cm/s。 【作者单位】： 南昌大学太阳能光伏学院&材料科学与工程学院;
【关键词】： 氢化非晶硅 PECVD 钝化 太阳能级n型硅片
【分类号】：TM914.4;TN304
【正文快照】： 一引言异质结氢化非晶硅/晶硅太阳电池的关键技术之一是在氢化非晶硅/晶硅异质结界面内插入一层高质量的本征氢化非晶硅薄膜(i-a-Si:H),以减少硅片表面复合速率和界面态密度,提高太阳电池的转换效率。掺杂非晶硅薄膜的隙态密度高达1018cm3,与晶体硅片形成界面的悬挂键和缺陷

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