溅射功率对铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层In_xS_y的影响
溅射功率对铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层In_xS_y的影响【摘要】:采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备In x S y缓冲层,溅射功率范围从30 W到100 W。通过能量色散X射线光
【关键词】: 射频磁控溅射 InxSy薄膜 光学禁带宽度 太阳能电池
【基金】:国家自然科学基金重点项目(60936002)
【分类号】:TM914.42
【正文快照】: 目前实验室制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的效率已经达到20.3%,而电池中使用最多的缓冲层是采用化学水浴法制备的硫化镉(CdS)[1-2]。但由于镉有毒、能隙偏窄、制备工艺不匹配等因素的制约限制了其大规模应用,因此有必要寻找其他禁带宽度大于CdS(2.4 eV)的环保缓冲层材料。
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