GDMS法和ICP-MS法测定太阳能级多晶硅中杂质元素含量

【摘要】：采用辉光放电质谱法(GD-MS)测定太阳能级多晶硅中B,P,Fe,Co,Ni,Cu,Zn等痕量杂质元素,并优化和选择了GD-MS工作参数。考察了在半定量分析的情况下,GD-MS测定痕量杂质的精密度。结果表明,GD-MS对B,P,Na,Al,K,Ca,Fe,Ni,Cu,Co,Zn等元素测定结果的RSD都小于30%。用ICP-MS法进行验证,检出限0.14~2.85 ng/mL,RSD为1.6%~12%,加标回收率85.2%~125%。 【作者单位】： 北京有色金属研究总院;
【关键词】： 太阳能级多晶硅 辉光放电质谱法 电感耦合等离子体质谱法 杂质元素
【基金】：国家科技部创新方法专项(2010IM031300) 国家电子信息产业发展基金(工信部财函[2011]506号)资助
【分类号】：TQ127.2;O657.63
【正文快照】： 太阳能级多晶硅是重要的半导体材料,广泛用于光伏、电子行业,也是太阳能电池的基础材料,其杂质含量较低,杂质含量对其导电性、产品寿命和光电转换效率具有很大的影响。目前检测多晶硅中杂质含量的方法很多,原子发射光谱法[1~3]、X射线荧光光谱法[4,5]、电感耦合等离子体质谱法

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