晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法

【摘要】：少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC),并指出了各种方法的优点和不足。 【作者单位】： 中国科学院电工研究所 中国科学院电工研究所
【关键词】： 晶体硅 太阳能电池 少子寿命 微波光电导衰减 准稳态光电导 表面光电压
【基金】：国家863计划(2006AA05Z405)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。当载流子连续产生时,在太阳能电池中,寿命的值决定了电子和空穴的稳定数量。这些数目决定了器件产生的电压,因此它应该尽可能的高。寿命的一个重要方面就是它直接与扩散长度Lb相关,Lb=!Dbbτ,Db是材料的扩

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