不同p电极下InGaN太阳能电池性能研究

【摘要】：利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长InGaN量子阱结构太阳能电池,并制作出了不同间距和形状的指叉形状p型电极。通过实验对比发现,随着指叉间距的减小,电极面积增加,光吸收面积减小,从而减少了光电流的产生,使得电池效率退化。另据实验发现,由于器件MESA边缘有着更强的电场,相同指叉密度下,将电极制作在器件边缘可取得更好的电池性能。 【作者单位】： 西安电子科技大学技术物理学院;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
【关键词】： InGaN 太阳能电池 p电极 指叉间距
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： InGaN基的合金材料近年来得到了广泛的关注,并成功运用与发光二极管(LED)[1]、激光器(LD)[2]和高电子迁移率(HEMT)[3]器件的制作。由于其优异的物理特性,如跨度较大的禁带宽度范围(0.7~3.4 eV)[4],较高的带边吸收系数(105cm-1),高电子迁移率[5]以及优越的抗辐照特性[6],InGaN

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