GD-MS法测定太阳能级多晶硅中痕量杂质元素含量

【摘要】：采用辉光放电质谱法(GD-MS)测定太阳能级多晶硅中B、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti等20个痕量杂质元素。研究了GD-MS测定多晶硅的预溅射时间,优化和选择了仪器的工作参数、分辨率和用于分析的待测元素同位素。并将分析结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的分析结果进行对照以验证GD-MS无标分析的准确程度。实验结果表明,GD-MS法对B、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti等元素测定结果的相对标准偏差(RSD)都小于25%,二者测定结果基本一致。 【作者单位】： 昆明冶金研究院;
【关键词】： 太阳能级多晶硅 辉光放电质谱法 准确度 精密度
【分类号】：O657.63;TQ127.2
【正文快照】： 太阳能级多晶硅是重要的半导体材料,广泛用于光伏、电子行业[1]。对多晶硅的整个生产制备流程和其产品应用性能来说,掌握多晶硅中微量元素的实际含量是非常重要的,对是否能生产出合格的、性能稳定的产品是至关重要的,多晶硅中微量元素对多晶硅的品质起决定性的作用[2]。电感耦

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