太阳能硅片切割工艺

【摘要】：铸造级太阳能多晶硅由于其原料纯度和制备过程中容易引入碳及氮化物杂质,引起硅片切割过程中出现跳线和断线现象,从而造成破片率偏高。通过金相显微镜和场发射扫描电镜测试硅片碎裂处表观形貌,结合X-射线能量色散谱对其进行微区元素分析,以期从原材料选择到工艺优化等方面降低硅片的破片率。 【作者单位】： 国家硅材料深加工产品质量监督检验中心;
【关键词】： 硅片 破片率 断面分析 工艺优化
【分类号】：TN305.1
【正文快照】： 半导体工业的发展要求芯片厚度越来越薄,高性能电子产品的立体封装所需的超薄芯片厚度甚至小于50μm[1],但是硅片切割过程中破片率高的问题却一直困扰着光伏行业硅片制造业。行业内已对硅片的切割过程进行了一些相关研究[2-9],但鲜见通过破片断面探讨硅片破碎的形成原因。文中

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