透明导电氧化膜的功函数对μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能影响的数值模拟

【摘要】：用AFORS-HET软件分析了透明导电氧化膜(Transparent Conductive Oxide,TCO)的功函数对μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的影响。模拟结果表明,透明导电氧化膜的功函数会强烈影响太阳能电池的性能如V_(oc)和FF。当透明导电氧化膜的功函数在TCO/μc-Si:H(n)界面小于4.4 eV、μc-Si:H(n)发射层的厚度为6 nm,透明导电氧化膜的功函数在μc-Si:H(p+)/TCO界面大于5.2 eV且透明导电氧化膜为ZnO时,模拟的具有纹理结构的TCO/μc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)/TCO太阳能电池的转换效率达到了23.78%(V_(oc):758.6 mV,Jsc:40.94mA/cm~2,FF:76.58%)。这表明μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池的性能与透明导电氧化膜的功函数紧密相关,通过透明导电氧化膜的功函数可以提高太阳能电池的效率。 【作者单位】： 太原科技大学应用科学学院;
【关键词】： 透明导电氧化膜 功函数 异质结 AFORS-HET
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 吕雁文刘淑平聂慧军(太原科技大学应用科学学院,太原030024)Numerical Simulation of Influence of Work Function ofTransparent Conductive Oxide on Performance of|ac-Si:H(n)/c-Si(p)Heterojunction Solar CellLV Yan-wen,LIU Shu-ping,N1E Hui-jun(Academy of Applied S

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