InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展

【摘要】：InGaN/GaN量子阱太阳能电池在扩宽氮化物半导体太阳能电池光谱响应和提高电池效率方面有较大优势,近几年来受到了广泛关注.本文回顾了InGaN/GaN量子阱电池发展历程,论述了量子阱区域结构设计和外界条件对InGaN/GaN量子阱电池效率的影响,介绍了为提高InGaN/GaN量子阱电池效率所进行的关键工艺技术研究,总结了实现高效InGaN/GaN量子阱电池需要解决的问题和可能解决方案,为高效InGaN/GaN量子阱电池的实现提供参考. 【作者单位】： 厦门大学信息科学与技术学院;
【关键词】： InGaN/GaN量子阱 太阳能电池 氮化物半导体 GaN InGaN
【基金】：国家自然科学基金(61404059,61274052)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： InxGa1-xN(x为In元素的原子分数,即In组分)三元合金材料通过改变In的组分可以实现从窄带隙(InN:0.64eV)到宽带隙(GaN:3.4eV)的连续调节,可吸收光波段从近红外一直延伸到紫外,基本覆盖了整个太阳光谱[1],InGaN材料带隙对应的AM1.5(AM表示大气质量,数字1.5表示太阳光通过大气实

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