HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究

【摘要】：正HgCdTe光伏探测器是重要的一类红外探测器,在该器件制备工艺中,钝化技术决定着器件的稳定性、抗干扰能力,和其它性能指标。在各种钝化技术中,SiO2+ZnS复合介质膜钝化虽然具有较好的界面特性、绝缘性、热稳定性和化学稳定性,但由于SiO2薄膜和ZnS薄膜之间的附着力差,使这一钝化技术的广泛应用受到限制。本文报道了在HgCdTe光伏探测器件SiO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O 和Ar等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件。 【作者单位】：中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室
【分类号】：TN215
【正文快照】： HgcdTe光伏探测器是重要的一类红外探测器，在该器件制备工艺中，钝化技术决定着器件的稳定 性、抗干扰能力，和其它性能指标。在各种钝化技术中，5102+zns复合介质膜钝化虽然具有较好的界 面特性、绝缘性、热稳定性和化学稳定性，但由于Siq薄膜和zns薄膜之间的附着力差，使

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