碲镉汞光伏探测器基座的低温形变分析

【摘要】：论文对碲镉汞光伏探测器的基座在高低温变化过程中的形变情况进行了测量,得到了基座形变大小与柯伐厚度的关系,从而为基座柯伐厚度的选择提供了依据。 【作者单位】：中科院上海技术物理研究所 中科院上海技术物理研究所 中科院上海技术物理研究所 中科院上海技术物理研究所
【关键词】：碲镉汞 探测器 柯伐 低温 形变
【分类号】：TN36
【正文快照】： 引言碲镉汞(Hg1-xCdxTe)合金是一种间接能隙化合物半导体,随着组分x由0上升至1,其禁带宽度可以从0连续增大到1.6ev,通过调节组分x就可以获得所需要的响应波段[1]。到目前为止,碲镉汞半导体已经成为最重要的红外半导体材料,碲镉汞红外材料和器件也日益走向成熟。碲镉汞光伏器

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