GaN基光伏型MSM结构紫外探测器研究
GaN基光伏型MSM结构紫外探测器研究【摘要】:GaN基金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外探测器因其平面型、工艺简单、便于集成等优点成为GaN紫外探测器(UVPD)研究的热门课
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:TN23
【目录】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-9
- 第一章 绪论9-16
- 1.1 GaN材料应用于紫外光电探测的背景9-10
- 1.2 GaN基紫外探测器研究进展10-13
- 1.2.1 光导型PD10-11
- 1.2.2 光伏型PD11-13
- 1.3 课题研究意义13-15
- 1.4 论文的主要研究内容15-16
- 第二章 GaN基MSM型紫外探测器16-27
- 2.1 MSM型探测器的器件结构和工作原理16-19
- 2.2 光电探测器主要参数及其物理意义19-21
- 2.3 MSM光电探测器结构与各参量之间的关系研究21-26
- 2.3.1 电极结构与时间常数的关系21-23
- 2.3.2 量子效率23-25
- 2.3.3 有源层参数的影响25-26
- 2.4 本章小结26-27
- 第三章 具有不对称电极结构的MSM型紫外探测器27-42
- 3.1 电流模型27-33
- 3.1.1 肖特基结构电流特性27-31
- 3.1.2 MSM型探测器解析暗电流传输模型31-33
- 3.2 具有不对称功函数金属电极MSM型光电探测器33-38
- 3.2.1 理论和模拟33-35
- 3.2.2 模拟结果分析35-38
- 3.3 具有不对称接触面积金属电极MSM型光电探测器38-41
- 3.3.1 理论和模拟38-39
- 3.3.2 模拟结果分析39-41
- 3.4 本章小结41-42
- 第四章 具有肖特基势垒增强层的MSM型紫外探测器42-53
- 4.1 肖特基势垒增强理论和技术42-45
- 4.2 具有势垒增强层GaN基MSM型光电探测器45-52
- 4.2.1 模拟计算所采用的器件结构和参数45-46
- 4.2.2 外加p-GaN层对器件暗电流的影响46-47
- 4.2.3 p-GaN层厚度、浓度等参数对器件暗电流的影响47-52
- 4.3 本章小结52-53
- 第五章 GaN基MSM型紫外探测器光响应特性53-62
- 5.1 模型建立53-58
- 5.1.1 光电流模型53-56
- 5.1.2 陷阱影响56-57
- 5.1.3 总电流和响应度57-58
- 5.2 模型验证与讨论58-61
- 5.3 本章小结61-62
- 第六章 结论62-64
- 致谢64-65
- 参考文献65-69
- 攻硕期间取得的研究成果69-70
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