GaSb热光伏电池及其减反射层的研究
GaSb热光伏电池及其减反射层的研究【摘要】:GaSb属于窄禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,其禁带宽度为0.72eV,主要用于红外和近红外光纤、光敏器件、叠层电池下电池及热光伏发电。因为Ⅲ
【学位授予单位】:大连理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:TM914.4
【目录】:
- 摘要4-5
- Abstract5-8
- 引言8-10
- 1 GaSb物理特性10-20
- 1.1 GaSb结构特性10-11
- 1.2 热学特性11-14
- 1.3 电子特性和电子传输特性14-18
- 1.4 光学特性18
- 1.5 缺陷和掺杂18-20
- 2 光伏电池基本理论20-30
- 2.1 电学特性20-27
- 2.1.1 单色光光电流计算20-22
- 2.1.2 等效电路及I-V特性22-25
- 2.1.3 暗电流25
- 2.1.4 开路电压25-27
- 2.2 少子寿命27-29
- 2.3 串联电阻、旁路电阻对电池I-V特性的影响29
- 2.4 太阳电池转化效率29-30
- 3 GaSb表面阳极氧化和化学刻蚀30-42
- 3.1 阳极氧化30-36
- 3.1.1 GaSb阳极氧化原理及电学特性分析32-34
- 3.1.2 原子力显微镜(AFM)测量表面粗糙度34-36
- 3.2 GaSb化学刻蚀36-42
- 4 GaSb太阳电池制备42-61
- 4.1 GaSb样品制备42-43
- 4.1.1 清洗与腐蚀42
- 4.1.2 SiO_2掩膜制备42-43
- 4.1.3 光刻43
- 4.1.4 刻蚀SiO_2掩膜43
- 4.2 扩散原理及工艺43-56
- 4.2.1 Zn扩散的微观机制44
- 4.2.2 理论拟合44-50
- 4.2.3 内部量子效率与外部量子效率50
- 4.2.4 影响电池效率的因素50-55
- 4.2.5 实验工艺55-56
- 4.3 制作电极56-57
- 4.4 制作减反射膜57-58
- 4.5 GaSb电池效率及结果讨论58-61
- 结论61-62
- 参考文献62-67
- 攻读硕士学位期间发表学术论文情况67-68
- 致谢68-69
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