乙烷选择氧化钒系高分散隔离活性位催化剂的研究

【摘要】：本文考察了焙烧温度对含V超低载量的Cs-V/SiO2 (Cs∶V∶Si=10∶1∶10 0 0 )催化剂上乙烷选择氧化性能的影响,发现70 0℃为最佳焙烧温度。探讨了两步浸渍法中V和Cs不同分散负载顺序对催化剂上乙烷选择氧化性能的影响。结果表明,先在SiO2 母体上分散负载V ,然后再分散Cs的方法有利于乙烷选择氧化反应获得较高的总醛选择性,并分析了两种制备方法对V在SiO2 上的分散产生差别的原因。利用原位脱水条件下的拉曼光谱对有无Cs修饰的高分散隔离活性位催化剂进行了结构表征。当V的载量≤0 1%时,V进入SiO2 晶格,形成V—O—Si键,即VOx主要以V -O单键形式存在;催化剂的结构决定乙烷选择氧化反应的催化性能。 【作者单位】：石油大学重质油国家重点实验室 石油大学重质油国家重点实验室 石油大学重质油国家重点实验室 石油大学重质油国家重点实验室 石油大学重质油国家重点实验室
【关键词】：乙烷 选择氧化 高分散 隔离活性位 结构 催化剂
【基金】：国家自然科学基金资助项目(20373043) 教育部支持留学归国人员科学研究与实验室建设重点基金
【分类号】：O643.3
【正文快照】： 1　前言乙烷是天然气的主要成分之一 ,其含量仅次于甲烷。乙烷分子的C -H键都是键连在伯碳原子上 ,很难活化 ;同时 ,在乙烷等低碳烷烃选择氧化反应中 ,产物中最弱的C -C键比反应物中最弱的C -H键要弱得多[1] 。因此 ,在转化过程中 ,一方面要使用高活性的催化剂和相对苛刻的反

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