Zn在N-GaSb晶片中扩散机理与GaSb热光伏电池制备工艺的研究
Zn在N-GaSb晶片中扩散机理与GaSb热光伏电池制备工艺的研究【摘要】:PN结是光伏电池的核心,GaSb热光伏电池中的PN结可通过“准密封式”Zn扩散法制备,本文主要从实验和理
【学位授予单位】:中国科学技术大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:TN304.01;TM914.4
【目录】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-6
- 目录6-8
- 第1章 绪论8-16
- 1.1 GaSb 的基本物理性质及应用8-9
- 1.2 GaSb 电池的制备方法与发展状况9-13
- 1.2.1 外延生长法制备GaSb 电池9-10
- 1.2.2 准密封式Zn 扩散法制备GaSb 电池10-11
- 1.2.3 GaSb 电池的发展状况11-13
- 1.3 本文的研究内容与意义13-14
- 参考文献14-16
- 第2章 Zn 在N-GaSb 晶片中扩散的实验系统设计16-32
- 2.1 扩散实验系统的设计16-18
- 2.1.1 扩散炉系统设计16-17
- 2.1.2 准密封箱的设计17-18
- 2.1.3 N-GaSb 晶片和扩散源的选择18
- 2.2 实验过程18-21
- 2.2.1 准密封箱的高温烘烤18-19
- 2.2.2 扩散炉温度的标定19
- 2.2.3 晶片和扩散源的清洗19-20
- 2.2.4 Zn 扩散实验过程20-21
- 2.3 实验结果与分析21-31
- 2.3.1 SIMS 测试基本原理21-22
- 2.3.2 扩散源总量及成分对扩散曲线的影响22-26
- 2.3.3 扩散温度对扩散曲线的影响26-28
- 2.3.4 扩散时间对扩散曲线的影响28-31
- 参考文献31-32
- 第3章 Zn 在N-GaSb 晶片中扩散的理论研究32-45
- 3.1 扩散的基本理论概述32-33
- 3.2 微观扩散机制33-35
- 3.2.1 晶体中的缺陷33-34
- 3.2.2 Vacancy 扩散机制34
- 3.2.3 Kick-out 扩散机制34-35
- 3.3 Zn 在N-GaSb 晶片中扩散曲线的模拟35-44
- 3.3.1 扩散曲线的Boltzmann-Matano 分析35-37
- 3.3.2 Zn 在N-GaSb 晶片中Kink-and-tail 类型扩散曲线的模拟方法37-40
- 3.3.3 不同工况下扩散曲线的模拟与结果分析40-44
- 参考文献44-45
- 第4章 GaSb 热光伏电池的制备工艺45-68
- 4.1 准密封法制备GaSb 电池的几种工艺流程及特点45-49
- 4.1.1 单步扩散法制备GaSb 电池的主要工艺流程45-47
- 4.1.2 两步扩散法制备GaSb 电池的主要工艺流程47-48
- 4.1.3 本文中制备GaSb 电池采用的工艺流程48-49
- 4.2 单步扩散法制备GaSb 电池的主要工艺流程49-62
- 4.2.1 沉积SiNx 介质膜及光刻以选定扩散区域49-53
- 4.2.2 准密封式扩散制备PN 结53
- 4.2.3 去除背面和周边扩散层53-54
- 4.2.4 湿法刻蚀扩散表面的重掺杂区域54-55
- 4.2.5 蒸镀上下电极55-58
- 4.2.6 制备减反射层58-59
- 4.2.7 电池样品的量子效率测试结果与分析59-61
- 4.2.8 后期GaSb 电池的制备工艺改进方法61-62
- 4.3 热光伏电池发展趋势62-66
- 4.3.1 Ge 热光伏电池62-63
- 4.3.2 InGaAsSb 热光伏电池63-64
- 4.3.3 InAsSbP 热光伏电池64
- 4.3.4 InGaAs 热光伏电池64-66
- 参考文献66-68
- 第5章 结论68-69
- 在读期间发表的学术论文69-70
- 致谢70
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