单源真空共蒸发制备CuInS_2光伏薄膜
单源真空共蒸发制备CuInS_2光伏薄膜【摘要】:单源真空共蒸发制备CuInS2薄膜,氮气保护对薄膜进行适当的热处理。研究不同Cu、In、S元素配比和热处理条件对薄膜性能的影响。采
【学位授予单位】:内蒙古大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:O484.1
【目录】:
- 摘要5-7
- ABSTRACT7-10
- 第一章 引言10-18
- 1.1 研究背景10-12
- 1.2 CuInS_2的基本性质12-14
- 1.3 CuInS_2薄膜的制备方法14-17
- 1.4 本研究的意义与内容17-18
- 第二章 实验18-22
- 2.1 实验、测试设备及化学药品18-19
- 2.2 薄膜的制备19-22
- 第三章 结果与讨论22-38
- 3.1 CuInS_2薄膜的物相结构表征22-25
- 3.2 CuInS_2薄膜的化学组成分析25-31
- 3.3 CuInS_2薄膜的表面形貌31-33
- 3.4 CuInS_2薄膜的光学特性33-36
- 3.5 CuInS_2薄膜的电学特性36-38
- 结论38-39
- 参考文献39-43
- 致谢43-44
- 攻读硕士期间发表的学术论文44
- 硕士期间参加的科研课题44
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