首页 > 学术论文

液相法合成ZnO与PbS纳米结构及光伏应用

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 04:14:09
热度:

液相法合成ZnO与PbS纳米结构及光伏应用【摘要】:近年来,半导体纳米线以及半导体量子点等新型纳米材料由于具有远优于块体材料的卓越特性而而受到人们的巨大关注,发展非常迅速,被广泛用

【摘要】:近年来,半导体纳米线以及半导体量子点等新型纳米材料由于具有远优于块体材料的卓越特性而而受到人们的巨大关注,发展非常迅速,被广泛用于电子元器件以及光电转换领域中。目前,常用的半导体纳米材料的合成方法有气·相法和液相法。气相合成方法对设备的要求高,而且容易出现样品均匀性差,产率较低的等问题,而液相法的合成工艺简单、合成温度低、但需要一些重复性不好的步骤。另外,在半导体量子点合成过程中用到的原料的化学性质不稳定,且毒性较大,价格昂贵。本文针对这些问题,做了如下工作: 首先,利用水热法,以六水合硝酸锌和六亚甲基四胺为原料,在90℃下合成了垂直度较好且分布均匀的单晶纤锌矿结构ZnO纳米棒阵列。0.025M生长浓度下生长2h的ZnO纳米棒的直径约为50nm,长径比为5:1。实验结果表明,随着反应物浓度的增加和生长时间的延长,氧化锌纳米棒的直径和密度有了明显增大,平均长度由100nm增加至1.51μm,但是反应时间超过一定范围(约5h)后,随着反应物的持续消耗,纳米棒的生长速度放缓,最终停止长大;此外,籽晶层厚度对阵列生长起重要作用,由于生长溶液的腐蚀作用,且只有籽晶层厚度超过100nm的临界厚度后才能生长出密度较大均匀性较好的ZnO纳米线阵列;Zn2+/HMTA比值较大时会降低阵列生长的生长速度,但当比值趋近于1时影响不大。 其次,以硫粉取代目前常用的昂贵且危险性较大的双(三甲基硫化硅)作为硫离子源,通过调整合成工艺,以油胺和油酸作为包覆剂,在85℃~170℃温度范围内成功合成了粒度在3nm~20nm的PbS量子点。实验结果表明,油胺包覆体系中,随着反应温度的升高,反应前驱物的活性也随之升高,反应速度加快,量子点粒径增大;由于高温时,在温度和包覆剂的综合影响下,(111)晶面的相对其他晶面的生长速度较快,相应地,量子点形貌也随着温度的升高由球形过渡为多面体,最终转变为规则立方结构。油酸包覆体系由于油酸的包覆性能比油胺高,合成的量子点的粒径在3-5nm范围,整体比油胺包覆体系小。 最后,我们将合成的纳米结构应用在了光伏器件中。实验采用前一章所述工艺合成了长度为150nm左右的ZnO纳米阵列薄膜,利用旋涂法在阵列上沉积不同厚度的粒径为5nm和15nm左右的PbS量子点薄膜构建光伏器件。器件测试结果表明,只有粒度较小(5nm左右)的量子点薄膜完全覆盖住ZnO阵列才能形成有效的光伏结构,薄膜厚度太薄时会导致器件中电极同纳米线直接接触,发生短路;量子点粒径太大时会破坏器件的能带结构,二者均不能产生光生伏特效应。 【关键词】:纳米线 量子点 ZnO PbS 光伏器件
【学位授予单位】:合肥工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2013
【分类号】:O611.4;TB383.1
【目录】:
  • 摘要5-7
  • ABSTRACT7-9
  • 致谢9-15
  • 第一章 绪论15-35
  • 1.1 引言15-17
  • 1.1.1 纳米材料的分类15-16
  • 1.1.2 纳米线及其特性16-17
  • 1.2 氧化锌纳米线的性能17-23
  • 1.2.1 氧化锌的结构特性17-19
  • 1.2.2 氧化锌纳米线阵列的常用合成方法19-23
  • 1.3 氧化锌纳米线的应用23-30
  • 1.3.1 传感器23-24
  • 1.3.2 紫外探测器24-25
  • 1.3.3 紫外线激光器25-26
  • 1.3.4 发光二极管26-27
  • 1.3.5 染料敏化电池27
  • 1.3.6 纳米发电机27-29
  • 1.3.7 场发射器件29
  • 1.3.8 场效应晶体管29
  • 1.3.9 光催化剂29-30
  • 1.4 硫化铅量子点的合成与应用30-34
  • 1.4.1 PbS量子点常用的合成方法30-32
  • 1.4.2 PbS量子点的应用32-34
  • 1.5 本论文的立题意义34-35
  • 第二章 氧化锌纳米阵列薄膜的可控合成和表征35-54
  • 2.1 引言35-36
  • 2.2 实验部分36-41
  • 2.2.1 实验药品与仪器36-37
  • 2.2.2 ZnO纳米线阵列的合成过程37-39
  • 2.2.3 实验表征手段39-41
  • 2.3 结果与讨论41-53
  • 2.3.1 ZnO纳米线阵列的成分和结构表征41-43
  • 2.3.2 ZnO纳米线阵列的形貌表征和影响因素探讨43-53
  • 2.4 本章小结53-54
  • 第三章 PbS量子点的合成、表征及光伏器件应用54-68
  • 3.1 引言54-56
  • 3.2 实验部分56-61
  • 3.2.1 实验药品与仪器56-57
  • 3.2.2 PbS量子点的合成过程57-59
  • 3.2.3 PbS/ZnO光伏器件的制备与性能测定59-61
  • 3.3 结果与讨论61-67
  • 3.3.1 油胺和油酸包覆PbS量子点的结构、成分表征61-62
  • 3.3.2 PbS量子点的尺寸和形貌表征62-67
  • 3.4 本章小结67-68
  • 第四章 结论68-70
  • 参考文献70-77
  • 攻读硕士学位期间发表的论文77


您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

纳米ZnO粉体的制备及其表征    闫晓燕,卫英慧,胡兰青,许并社,张敏刚,郝建英

ZnO-聚苯胺复合膜的制备和性能研究    席燕燕,黄怀国,郑志新,董平,周剑章,吴玲玲,林仲华

ZnO纳米管的拉曼光谱学研究    宋洋,阎研,邢英杰,俞大鹏,张树霖

直接沉淀法制备纳米ZnO    李栋梁,董峰亮,邹炳锁

一维棒状ZnO的制备及电化学嵌锂性能研究    郑占丰,高学平,潘桂玲,鲍建莉,曲金秋,吴锋,宋德瑛

准一维ZnO纳米材料及器件的研究进展    段理;樊小勇;李东林;

影响氧化锌压敏陶瓷电性能的因素    陈建勋,赵瑞荣,秦毅红

SnO_2/ZnO及ZnO/SnO_2双层膜的气敏性质    赵金安,张惠勤

碳纳米管/ZnO纳米复合体的制备和表征(英文)    杨闵昊;梁涛;彭宇才;陈清;

掺杂对纳米ZnO粉末晶粒度和结构的影响    舒小林,胡望宇,王玲玲,张邦维,黄杨程,宋应东,肖汉宁

水含量对溶剂热合成ZnO微结构的影响    江浩;顾锋;李春忠;

先进无机材料表面的金属化—ZnO薄膜技术    沈伟;彭德全;沈晓丹;

先进无机材料表面的金属化——ZnO薄膜技术    沈伟;彭德全;沈晓丹;

稀土掺杂ZnO材料的发光特性研究进展    王齐;周大成;邱建备;

ZnO纳米晶的拉曼光谱    吴尝;朱克荣;周广东;

基于ZnO纳米阵列的应力传感器构建及性能测试    张铮;黄运华;李萍;廖庆亮;张跃;

准单晶ZnO薄膜的制备及其光学特性研究    周小芳;

原位观察单根ZnO纳米线同质外延生长    朱瑞;许宏钧;孙杨慧;张敬民;陈莉;徐军;俞大鹏;

ZnO薄膜光致发光的表面等离子体增强效应    万正芬;徐天宁;吴惠桢;原子健;邱东江;

多孔氧化铝模板制备ZnO及其发光性能的研究    郭冠军;罗莉;戴强钦;黄方映;姚丽丽;

PBS世界最大生产线在宜试产成功    本报记者 查啸宏

微波辅助液相法    

新一代支局营业系统NetPBS剖析    一鸣

开创动力文明的新纪元    安文 过国忠

江苏煤化工产业基地在沛县启动建设    徐承德 陶正龙 刘宏奇

双乙酸钠:产需缺口大 应用前景好    钱伯章

勇于担当谋创新    曹丙利

江苏煤化工基地徐州奠基    时善文

二甲醚替代石油走出第一步    魏好勇

用先进技术构建二甲醚能源系统    王亚丽

ZnO中的杂质行为与p型掺杂    汤琨

ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究    张晓

过渡元素掺杂ZnO稀磁半导体的制备及性质研究    刘洋

共掺杂p型ZnO和富氮Zr-N薄膜的制备、性能及表征    隋瑛锐

ZnO薄膜的制备及其晶体管性能研究    陈韬

氧氩比和氢离子注入对ZnO薄膜微结构及光学性能的影响    胡懿

ZnO薄膜及其光电子器件中的晶格失配与应力问题研究    李永峰

P型ZnO薄膜的制备及其结构、光学和电学性质的研究    杨通

ZnO薄膜和纳米结构的制备及其特性研究    高世勇

ZnO稀磁半导体低维结构的制备和性能研究    刘伟景

ZnO/BaTiO_3异质结的液相法(CSD)制备及其电性能研究    岳美琼

磁控溅射法制备ZnO薄膜及光电导探测器的研制    范晓玲

Na-Mg共掺杂ZnO薄膜的结构及光学性质研究    锁雅芹

ZnO与TiO_2的光催化及其光电转换耦合性能的比较    谢炜

Al~(3+)掺杂抗静电改性ZnO颜料制备及其质子辐照效应    吕金鹏

ZnO超长微米线的制备及光学性质的研究    马金雪

ZnO阵列薄膜的制备及其性能研究    刘静

ZnO超长微米线制备及其在压电应力传感器方面的应用    孙开通

水热法制备六方柱状ZnO微晶的形貌、结构与光催化性能    刘淑洁

ZnO薄膜和异质结构的光电性能研究    陈慧