热生长二氧化硅击穿电压与1,1,1三氯乙烷克分子浓度的关系

【摘要】：MOS器件栅氧化层,是在有氯源1,1,1三氯乙烷(TCA)的条件下生长的。本文已给出击穿电压(BV)与TCA克分子浓度的关系曲线。为了考察用三氯乙烷代替三氯乙烯(TCE)是否适合,将上述结果与同样条件下生长的三氯乙烯氧化层进行了比较。业已发现,击穿电压强烈地依赖于三氯乙烷和三氯乙烯的克分子浓度。在p型硅上的TCA/TCE氧化层击穿电压与TCA/TCE克分子浓度的关系曲线上,存在一个峰值。此外,在n型硅中,TCA氧化层具有比TCE氧化层相对稳定的击穿电压BV。 【关键词】： 击穿电压 克分子浓度 氧化层 三氯乙烷 热生长 积累层 MOS电容器 p型硅 二氧化硅 反型层
【正文快照】： —-口 :MOS器件的可靠性,主要取决于Si02的质量。在有氯源(HCl或’TCE)的情况下,热生长的干法二氧化硅有许多优点,例如减少r叮动离子密度,降低了缺陷密度,改善了界面特性和增加丁存贮时间。最近,人们对TCE及它的许多衍生物发生了很大的兴趣j因为TCE及其衍生物具有较小的腐蚀性

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

一种新型高压功率器件终端技术    宋文斌;蔡小五;

700V nLDMOS击穿电压参数设计    文燕;张枫;李天贺;李娜;

硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究    邱明波;刘志东;田宗军;汪炜;黄因慧;

埋层低掺杂漏SOI高压器件的击穿电压    李琦;王卫东;张杨;赵秋明;

沟槽负斜角终端结构的耐压机理与击穿特性分析    王彩琳;于凯;

700V高压LDMOS的比较研究及优化    罗杰;

75A/100V VDMOS设计制造    刘文辉;

高频大功率开关晶体管设计研究    习毓;

一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计    陈奕含;罗前;袁瑞林;

Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制    王东方;袁婷婷;魏珂;刘新宇;刘果果;

SOI在高压器件中的应用    王石冶;刘卫丽;张苗;林成鲁;宋志棠;

双极功率器件中的深槽隔离    周蓉;胡思福;李肇基;张庆中;

阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件    郭宇锋;王志功;

一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构    郭宇锋;蹇彤;徐跃;王志功;

超薄硅层REBULF LDMOS的工艺仿真和设计    黄勇光;段宝兴;罗萍;

阶梯厚度漂移区SOI新结构耐压分析    杨寿国;罗小蓉;李肇基;张波;

高压SOI-LIGBT特性研究    孙伟锋;陈越政;钱钦松;

一种1200V平面快恢复二极管终端结构的设计    殷丽;王传敏;

SOI高压功率集成电路中LDMOS的研制    李明;方健;乔明;

高压功率器件结终端结构设计    陆界江;张景超;关艳霞;赵善麒;

SOI：技术瓶颈突破 应用领域扩大    张波

射频CMOS功率放大器——理论、设计及运行（9）    cyf 翻译

模拟及数字式光耦合器连载（中）    成都 叶民 编译

双向过压抑制二极管简介    武汉 黄绍华

绝缘栅双极晶体管（IGBT）简介    江苏 苏俊

松下TC-2188S彩电无规律自动关机的检修    福建 龙海 刘福民

双向触发管的几种代换方法    广西 蒋建军

提升功率半导体性能 宽禁带器件产业化起航    浙江大学电气工程学院长江特聘教授 盛况

一种恒流恒压定功率充电器    山东 高希常 蒋孝平

砷化镓集成电路应用前景展望    青山

SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究    郭宇锋

基于电荷平衡的横向功率器件研究    陈万军

横向高压DMOS体内场优化与新结构    成建兵

横向高压器件电场调制效应及新器件研究    段宝兴

基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型    罗小蓉

LDMOS的可靠性和温度特性研究    孟坚

薄漂移区横向高压器件耐压模型及新结构    李琦

4H-SiC功率UMOSFETs的设计与关键技术研究    宋庆文

复合栅多阶梯场极板LDMOS电学特性的研究    高珊

基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路    乔明

Double RESURF LDMOS及电源管理电路BCD工艺研究    武洁

基于数值模拟的LDMOS解析模型    吴秀龙

30V，2.4GHz SOI-LDMOS 设计    俞军军

SiC SJ SBD设计与仿真    耿振海

利用TCAD软件优化兼容于BCD工艺的LDMOS结构    陆鑫

结型半导体换能元研究    曹玉武

新型MOS沟槽夹断型肖特基整流器的模拟研究    李惟一

大功率碳化硅PiN二极管击穿特性的模拟研究    郑庆立

IGBT的分析与设计    付耀龙

基于宽禁带半导体4H-SiC的功率IGBT模型及特性研究    张翼