超高迁移率p型CdS纳米线:表面电荷转移掺杂及其光伏器件
超高迁移率p型CdS纳米线:表面电荷转移掺杂及其光伏器件【摘要】:低维半导体纳米结构具有优异的电学、光学特性,吸引了广泛的研究兴趣。CdS作为一种重要的II-VI族直接带隙半导体,
【学位授予单位】:合肥工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2013
【分类号】:TB383.1;TN304.2
【目录】:
- 摘要5-7
- Abstract7-9
- 致谢9-10
- 目录10-12
- 插图清单12-14
- 表格清单14-15
- 第一章 绪言15-27
- 1.1 纳米科技的概述15-16
- 1.1.1 纳米科技的产生与发展15-16
- 1.1.2 纳米科技的研究领域16
- 1.2 半导体一维纳米材料的研究16-21
- 1.2.2 半导体纳米材料的掺杂17-19
- 1.2.3 半导体一维纳米材料的合成19-21
- 1.3 纳米器件的研究21-25
- 1.3.1 场效应晶体管器件21-22
- 1.3.2 光电器件22-24
- 1.3.3 传感器件24-25
- 1.3.4 其他功能器件25
- 1.4 课题研究背景与目的25-27
- 第二章 实验药品、工艺及表征27-38
- 2.1 实验所需药品27-28
- 2.2 实验工艺28-32
- 2.2.1 一维纳米材料的合成工艺28
- 2.2.2 纳米器件制备工艺28-32
- 2.3 表征32-38
- 2.3.1 材料表征32-36
- 2.3.2 器件表征36-38
- 第三章 超高迁移率 p 型 CdS 纳米线:表面电荷转移掺杂38-51
- 3.1 前言38-39
- 3.2 CdS 纳米线的表面电荷转移 p 型掺杂39-48
- 3.2.1 CdS 纳米线的合成39-42
- 3.2.2 基于表面电荷转移掺杂 p 型 CdS 纳米线场效应管的研究42-46
- 3.2.3 实验解析46-48
- 3.3 基于表面电荷转移掺杂 p 型 CdS 纳米线场效应管低温特性的研究48-50
- 3.4 本章小结50-51
- 第四章 :单根 CdS 纳米线同质结光伏器件的研究51-56
- 4.1 掺杂 Ga 的 CdS 纳米线电导类型的转变51-52
- 4.2 单根 CdS 纳米线同质结光伏器件的制备52-54
- 4.3 单根 CdS 纳米线同质结光伏器件的电学特性研究54-55
- 4.4 本章小结55-56
- 第五章 :基于 p 型 CdS 纳米线异质结光伏器件的研究56-60
- 5.1 基于 p 型 CdS 纳米线的异质结光伏器件的制备56-57
- 5.2 基于 p 型 CdS 纳米线的异质结光伏器件的电学特性研究57-59
- 5.3 本章小结59-60
- 第六章 全文总结60-62
- 参考文献62-69
- 攻读硕士期间发表的论文69-71
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