半导体光伏效应

【摘要】：我们采用电容器法,测量了半导体在脉冲单色光照射下总光生电动势的光谱分布,发现p型硅在光波波长λ1.08μ后,总光生电动势发生变号。考虑到表面势垒的存在,以及光在半导体两个表面的反射与透射,计算了向光面光生电动势、丹倍电动势以及背光面光生电动势,认为半导体的总光生电动势为这三者的代数和。初步比较了理论计算和实验结果,并利用这结果讨论了Goodman测量少数载流子短小扩散长度方法。 【关键词】： 光生电动势 体光伏效应 扩散长度 表面复合速度 半导体 表面光伏 光电导 放大器 表面势垒 近似公式
【正文快照】： 一己!屯全 奋J己「刁 光照到半导体上,引起外光电效应与内光电效应.电子离开半导休的光电发射就是外光电效应的一种.内光电效应包括半导体内超额小数栽流子的产生、扩散、漂移与复合等方面.它是平导体表面光伏、丹倍效应、光电导、光磁效应和光电池光伏效应等发生的依据.关于

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