光伏型锑化铟多元红外探测器
光伏型锑化铟多元红外探测器【摘要】:本文简要介绍用箱法扩散成结,蒸发SiO_2钝化表面和金属化层作欧姆接触,热压焊等类似Si集成电路工艺研制的InSb多元红外探测器的情况,获得了高
【关键词】: 多元探测器 光电探测器 锑化铟 箱法扩散
【正文快照】: 一、前 ~‘人一 曰 国外在制造光伏型锑化锢(Pv一Insb)单元和多元红外探测器的工艺已基本成熟,器件性能已接近背景限。典型参数:零偏压电阻R。(d v/dl}。~0)、lK一looMO;电压响应率R,、IO5v/w;厌、sxlo’。cmHz,叮w。国内研制的单元器件,D’值还比较高,但R。和R,比较低,工艺
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