Si衬底上的HgCdTe光伏探测器
Si衬底上的HgCdTe光伏探测器【摘要】:利用CdTe和GaAs中间外延层,首次在Si衬底上制作了HgCdTe红外光伏探测器。在热循环之后未观测到这些器件(截止波长为5.5μm,
【正文快照】: 目前单晶CdTe是HgCdTe红外光电探测器的标准衬底,但是,应用于HgCdT“探测器阵列,由于CdTe衬底的质量及面积小、成本高和脆性,使其应用受到限制。有的文章[l]论证了在si上利用C dTe和GaAs中间缓冲层外延生长HgCdTe。本文描述在粗糙的低成本si衬底上,首次制作的H gCdTe探测器。
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