GaAs-Al_xGa_(1-x)As n-N异质结的光伏特性

【摘要】：测量了液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As n -N异质结 300K和 77K下的光伏响应的光谱分布,证明异质结界面上存在着较多的界面能级.能带形状在界面上有两个背对背的势垒.在禁带中离AlxGa_(1-x)As导带边 0.7-0.8eV处有一个类受主界面能级.在某些特定条件下,这种n-N异质结在光照和温度作用下可具有多态变化,它和界面态上电子的捕获和释放有关. 【作者单位】： 北京大学物理系 北京大学物理系
【关键词】： 异质结 光伏特性 光伏响应 界面能级 AIGaAs 锁相放大器 光伏谱 界面态 费米能级 电子态
【正文快照】： 一、引言 早在六十年代初期,异质结的某些特点已吸引了人们的注意川.但由于异质结界面上存在着大量的缺陷,载流子将在界面上复合掉,使注人和放大功能不能实现.虽然对异质结的能带,电学和光学特性有过不少的研究比3]:却一直未能得到较理想的器件.直到六十年代末期选择了GaAs一A

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