双光束瞬态光伏谱测量半导体深能级

【摘要】：提出一种测量半导体深能级的新方法——双光束瞬态光伏谱.与目前测量深能级通常采用的方法DLTS相比,具有两个突出的优点,对被测样品无破坏性和可直接测量单晶的深能级.测量了掺金硅单晶和电子辐照硅单晶的深能级,结果与公认值完全符合. 【作者单位】： 集美航海学院物理室 厦门大学物理学系 厦门大学物理学系
【关键词】： 深能级 光伏谱 双光束
【正文快照】： 深能级对半导体的性能有决定性的影响.因而一直是被广泛重视和研究的课题.目前测量半导休中深能级一般是采用DLTS方法,但DLTS不能对单晶半导体直接进行测量,它要求被测样品具有p一n结,并要求制作样品电极.这里我们提出一种测量半导体深能级的新方法—双光束瞬态光伏谱法,该方

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