首页 > 学术论文

GaAs/AlAs超晶格低温光伏特性

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:50:41
热度:

GaAs/AlAs超晶格低温光伏特性【摘要】:在18~300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中

【摘要】:在18~300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。 【作者单位】: 厦门大学物理学系 厦门大学物理学系 厦门大学物理学系
【关键词】超晶格 光伏谱 状态密度
【基金】:半导体超晶格国家重点实验室项目
【正文快照】: 半导体量子阱和超晶格结构为新一代半导体电子器件和光电子器件的开发与研究开辟了广阔的前景,近年来一直是半导体领域中最活跃的前沿课题.量子阱和超晶格量子效应的主要特征是产生了新的状态密度分布.由于势阱内的电子运动被势垒所限制,波函数在垂直势阱界面的方向上产生金

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁    朱文章,陈朝,刘士毅,江德生,庄蔚华

InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱    吴正云,王小军,余辛,黄启圣

GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究    朱文章,沈顗华

半导体光伏效应    刘土毅 ,孙志鹏 ,黄景昭

半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器    

半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器取得进展    郑冬冬;

半导体所制成高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器    

    

    

    

    

    

    

    

直接带隙硅基超晶格Ⅵ/Si_m/Ⅵ/Si_m/Ⅵ    张建立;黄美纯;李惠萍;朱梓忠;

应变和成份调制超晶格的CBED研究    魏晓莉;冯国光;

非晶态超晶格的XTEM研究    王建农;范缇文;段晓峰;陆珉华;褚一鸣;

In Ga As/Ga As超晶格的界面研究    都安彦;邹进;冯国光;侯宏启;黄琦;周均铭;

光弹模型计算Ge_xSi_(1-x)应变层超晶格中折迭声学声子的散射强度    金鹰;张树霖;秦国刚;周国良;俞鸣人;

P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究    尹以安;李述体;梅霆;范广涵;周天明;

准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格的HREM观察    严勇;陈坤基;毛国民;陈峻;冯端;

用薄膜光子晶体超晶格概念设计多峰滤光片    顾培夫;秦小芸;黄弼勤;艾曼灵;刘旭;

Bl-AlN/TiN(001)界面结构与电子特性    陈东;马秀良;

红外焦平面列阵和光电探测器件的研究    赵连城;

世界上第一个三维磁晶体    

垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析    晏长岭

太赫兹场作用下低维半导体光学特性研究    米贤武

硅基光电子材料和稀磁材料的计算设计    陈捷

超晶格中隧穿输运与BEC中若干非线性激发现象    范文斌

GW方法和半导体准粒子能带结构    吕铁羽

量子线中的电声子相互作用    常凯

低维半导体结构有效质量理论    李树深

MgZnO薄膜的制备及特性研究    张锡健

气态源分子束外延材料生长及特性和量子级联激光器材料生长研究    李华

InGaAs/InAlAs量子级联激光器物理、材料及器件    杨全魁

用优化算法模拟计算掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格的纵向输运    李国刚

铅盐窄带半导体异质结构的制备与研究    李冬妹

超晶格量子阱光学性质的研究    贺利军

半导体超晶格中负微分电导及其非线性特性的研究    黄忠兵

Ⅲ-Ⅴ族量子阱的共振隧穿及Ⅰ-Ⅴ特性理论研究    吴瑞

双电子层隧道晶体管THz探测器的研究    黄亚明

具有泵浦的量子点阵列的电子动力学    刺士将

磁场下量子环的电子态及远红外吸收谱的研究    邢永丽

GaAs/AlGaAs HEMT材料的结构与电学性能研究    姚官生

氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究    王君雄