p型Si单晶表面态真空效应的光伏测定

【摘要】：本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密度D_S等参数以及常温温区下的光伏值可有明显的差异。 【作者单位】： 厦门大学物理系
【关键词】： 表面态真空效应 p型硅单晶 光伏方法
【基金】：国家自然科学基金资助课题
【正文快照】： 一、引 言 在过去的工作中,对于半导体的表面性质已进行过大量的深入研究。早已明确,即使对于超高真空系统中劈裂的半导体表面,由于有难免存在的残余气体分子的键合作用等因素,其表面态参数也并非理想半导体表面的数值。本文则采用变温光伏方法,从改变真空度这一方面对P型S单

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