GaAs同质结、异质结和异质面的光伏谱研究

【摘要】：采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al_(0.35)Ga_(0.65)As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光伏谱和 p-GaAs/n-GaAs 同质结、P-Al-GaAs/p-GaAs/n-GaAs 异质面在室温下的光伏谱,并进行比较分析。采用改进的阻尼最小二乘法对实验数据进行拟合计算,求出少子扩散长度、结深、表面复合速度和界面复合速度等重要参数。 【作者单位】： 厦门大学物理系 厦门大学物理系
【关键词】： GaAs 异质结 异质面 光伏谱
【正文快照】： 1引言 作为直接带隙材料,GaAs在光电器件中得到了广泛的应用。异质结和异质面结构为GaAs开辟了更广阔的应用前景。在异质结器件中,首先取得突破的是AIGaAs/GaAS异质结激光器。由于GaAs和AIGaAs晶格常数与热膨胀系数都十分相近,匹配良好,可以做成界面态密度很小的异质结,因此,2

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