超晶格光伏效应的温度特性

【摘要】：在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在100K 以下,GaAs/AlGaAs 的光伏谱反映了超晶格台阶状态密度分布。在 Ge_xSi_1-x/Si 应变层超晶格中,观测到子带和连续带间的光跃迁。并对两类超晶格的光伏特性进行了比较分析。 【作者单位】： 厦门大学物理系 厦门大学物理系
【关键词】： 超晶格 光伏谱 光跃迁
【正文快照】： 1引言 半导体量子阱和超晶格结构为新一代半导体电子器件、光电子器件的开发和研究开辟了广阔的前景。近年来,它们一直是半导体领域中最活跃的前铅课题,但其光伏特性的研究报道却很少。光伏特性反映了半导体光电器件光谱响应的能力,它的研究对量子阱和超晶格的实际应用是很有

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