光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁

【摘要】：采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子带和3个轻空穴子带.根据宇称守恒确定光跃迁选择定则,对6个峰进行指认.实验结果与理论计算的结果基本相符合. 【作者单位】： 厦门大学物理系 厦门大学物理系 厦门大学物理系 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所
【关键词】： 超晶格 光伏法 子带间 光跃迁 位移效应 光生载流子 光伏谱 光伏效应 GaAs 热发射
【基金】：半导体超晶格国家重点实验室资助
【正文快照】： 一、实验装置与样品处理 我们采用电容藕合法测量AIAs/GaA:超晶格的光伏谱.该方法的主要特点是无需制作样品的电极,对样品无破坏性,经光伏特性测最后的样品对其其它特性的测试没有任何影响,而且这种方法对样品的规格和形状没有什么特殊要求. 实验装置如图ltl],AIAs/GaAs超晶

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